Дата: 20/09/2009 15:31:47
Раздел: 




Две компании Rambus и Kingston Technology объединились с целью создания нового формата памяти DDR3, который будет обладать пониженным энергопотреблением и повышенной производительностью. Не секрет, что нынешний тип памяти DDR3 хоть и обладает улучшенными по сравнению с DDR2 показателями тепловыделения, потребления энергии и производительности, однако пропускная способность у нее слишком скромно отличается от предшествующего типа, чтобы говорить о тотальном переходе со старых на новые модули «оперативки».
Как отмечает Rambus, новая память сравнительно с сегодняшними модулями DDR3 получит увеличенную на 50 процентов пропускную способность и снизиженное на 20 процентов потребление мощности. Первый прототип, предназначенный для использования в составе систем с многоядерными процессорами, будет продемонстрирован в рамках форума Intel Developer Forum (IDF) на следующей неделе. Представитель компании Rambus Крэйг Хэмпел (Craig Hampel), которому и предстоит выступать на IDF, объяснил, что данная «инновационная технология задействует параллелизм для обеспечения высокой пропускной способности, необходимой для многоядерных систем, и в то же время более эффективна с точки зрения потребления мощности»
Демонстрация призвана повлиять на производителей и побудить их адаптировать продукты к новой технологии. На сегодняшний день нет наборов логики, поддерживающих подобные модули. «Мы всё еще в стадии проповедования», - посетовал директор по маркетингу компании Майкл Чинг (Michael Ching). Увеличение на рынке процессоров с несколькими ядрами сопровождается необходимостью роста быстродействия подсистемы памяти. Rambus нашла выход в эффективном разделении DIMM на два независимых ресурса, доступ к которым осуществляется параллельно. От производителей модулей требуется обновить системные платы, добавив на них новые проводниковые «дорожки», чтобы создать разделённые левый и правый каналы DIMM. В свою очередь, контроллеры памяти также необходимо модифицировать.
Если бы смысл данной технологии заключался в увеличении быстродействия памяти DDR3 лишь средствами изменения только самих модулей, а не системных плат и модулей вместе, то никто бы и не сомневался в успешности этой разработки. А пока мало, кто уверен в том, что потребитель готов менять недавно купленные системные платы для новейших платформ, чтобы увеличить пропускную способность памяти еще на 50 процентов. В любом случае, форум IDF покажет истинную реакцию индустрии на заявления Rambus.


Эта статья взята СЃ сайта kr26.ru Железногорский интернет-портал
Адрес этой статьи:


При полном или частичном использовании материалов сайта ссылка на KR26.info обязательна.
Адрес электронной почты: info@KR26.info
Дизайн, разработка и поддержка сайта: Michael_A_Gayduk