Альянс компаний, куда входят IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, GlobalFoundries, Infineon Technologies, Samsung и STMicroelectronics, приступает к разработке 28-нанометрового процесса массового производства экономичных микросхем на базе МДП-структур с диэлектриком с высоким значением диэлектрической постоянной и металлическим затвором (HKMG). Микросхемы на основе HKMG потребляют меньше энергии, что особенно важно для мобильных устройств.
Первые попытки производства по 28-нанометровому процессу планируются на вторую половину 2010 года. Создание 32-нанометрового процесса дало важный опыт реализации технологии HKMG и компании намерены обеспечить ясный путь миграции с 32 нм на 28 нм. Начинать разработку микросхем можно уже сейчас, а затем, без необходимости радикальной переработки схемы, перевести производство на 28-нанометровый процесс.
Ранее была проведена аналогичная совместная разработка 32-нанометровой технологии. В феврале компания ARM и альянс Common Platform (IBM, Chartered и Samsung) представили выполненный по 32-нанометровой технологии HKMG процессор ARM Cortex.
|
